無人機可以在飛行時直接將數據存儲在機身中的存儲器或內置硬盤中。這種方式可以提高數據的安全性，保證即使出現網絡故障或通信中斷等問題，數據也能得到完整保存。
 
    MRAM非易失性存儲芯片是非常適合應用于無人機飛行數據存儲的芯片，數據記錄是如下持續、反復地將重要數據保存于設備的過程。先是系統內外部發生的事件、使用歷史 、環境參數、機器狀態，最后用于分析目的的其他數據。因需要持續、反復地保存數據，內存需要快速的寫入速度與高耐久性。
 
    Netsol MRAM芯片在無人機飛行數據中具有與SRAM不同，無需電壓控制器、電池及電池插座、與nvSRAM不同，無需電容器、寫入速度快、近乎無限的耐用性（100兆次的寫入次數）、斷電即時數據備份等明顯的優勢。
 
    Netsol的STT-MRAM具有非易失特性和幾乎無限的耐用性。適用于工業設備中的代碼存儲、數據記錄、備份和工作存儲器。可替代 Flash、FeRAM 、nvSRAM等，具有卓越的性能和非易失特性。

Parallel STT-MRAM 系列

S3R1016V1M	1Mbit	64Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1008V1M	1Mbit	128Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1016R1M	1Mbit	64Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1008R1M	1Mbit	128Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2016V1M	2Mbit	128Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2008V1M	2Mbit	256Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2016R1M	2Mbit	128Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R2008R1M	2Mbit	256Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4016V1M	4Mbit	256Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4008V1M	4Mbit	512Kx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4016R1M	4Mbit	256Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R4008R1M	4Mbit	512Kx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R8016V1M	8Mbit	512Kx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R8008V1M	8Mbit	1Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R8016R1M	8Mbit	512Kx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R8008R1M	8Mbit	1Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1616V1M	16Mbit	1Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R1608V1M	16Mbit	2Mx8	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R1616R1M	16Mbit	1Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R1608R1M	16Mbit	2Mx8	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	44TSOP2, 48FBGA
S3R3216V1M	32Mbit	2Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R3216R1M	32Mbit	2Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA, 54TSOP2
S3R6416V1M	64Mbit	4Mx16	2.70~3.60	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA
S3R6416R1M	64Mbit	4Mx16	1.71~1.98	70ns	-40℃ to 85℃	48FBGA

本文關鍵詞：MRAM,Netsol,STT-MRAM

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